Penry首用45nm制造工艺提高性能

作者: 佚名 出处:存储时代　2007-03-30 13:02　   砖    好    评论  条 　进入论坛

阅读提示：Penryn将是英特尔第一个采用45nm制造工艺的处理器，采用了增强型的酷睿微体系架构，预计在07年第四季度发布。Penry处理器还采用了SSE 4指令集，并提供了增强的英特尔虚拟化技术。

英特尔承诺，在07年下半年发布的Penryn处理器将能够提供20～45％的性能提升。3月29日上午，英特尔公司副总裁、台式机平台运营总监Stephen L.Smith表示，Penryn将是英特尔第一个采用45nm制造工艺的处理器，采用了增强型的酷睿微体系架构，预计在07年第四季度发布。Penry处理器还采用了SSE 4指令集，并提供了增强的英特尔虚拟化技术。
Smith表示，由于采用了45nm的高k与金属栅极制造工艺，Penryn处理器的晶体管数量可以比当前的处理器提高近2倍，使硅片尺寸可以更经济，处理器核心尺寸可以减小25％。同时，由于采用了金属栅极制造工艺和高K技术，Penryn处理器的晶体管切换速度提高了20％以上，并且提高了IPC（每时钟执行指令数），减小了漏电流，从而降低了功耗。
据介绍，英特尔Penryn家族包括六款产品，包括双核和四核台式机处理器、双核移动处理器（均采用英特尔酷睿处理器品牌名称），以及全新双核和四核服务器处理器（采用英特尔至强处理器品牌名称）。其中，双核处理器的高速缓存最高可达6MB，而四核可达12MB。Penryn处理器采用了与目前的处理器相同的插槽，只需要更改BIOS即可实现系统升级。
英特尔在开发过程中的不同阶段研发了逾15款45纳米高-K产品设计，并将于07年年底在两个45纳米制造工厂投入生产，计划于2008年下半年在四个工厂批量生产。此外，英特尔还宣布，在2008年，英特尔将推出新的处理器架构Nehalem。