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秋季IDF:观英特尔的数字潮

作者: 刘洪宇 出处:中国计算机报 2007-09-25 09:15    砖    好    评论   进入论坛
阅读提示:Penryn集成了750余项设计成果,其中包括被称为继MOS(晶体管的沟道导电技术)之后又一项革命性的半导体技术——High-k(高介电系数)与金属栅技术。据介绍,相比前代产品,Penryn的性能提升20%,而且全面采用无铅、无卤制造。

北京时间9月19日,当满头银发的摩尔(英特尔共同创始人)慢步走近,微笑着向听众挥舞手臂时,2007秋季IDF会场顿时沸腾起来。难抑激动的人们不约而同地起立,欢呼着向这位老人致敬,此时距摩尔出席首届IDF整整十年。

摩尔的主持人故友拿起话筒:“如果一项技术需要巨大投入,你怎么做出决定?”摩尔略作沉思:“小事要谨慎对待少犯错,而对难抉择的事做决定反而简单,只要信心和尽力。”正是这种超然,道出了英特尔39年来敢为先行的真髓,这也是IDF之所以成为业界捕捉未来技术风向的盛会。

Tick-Tock步伐不息

制造工艺与微架构是本届IDF的关注焦点,也是平台厂商的看家本领。英特尔总裁兼CEO欧德宁表示,按照英特尔的Tick-Tock节奏(按年份交替推出新一代制造工艺和微架构),两个月后,英特尔将量产45nm处理器Penryn,先期推出15款产品用于服务器与高端桌面,并在2008年第一季度推出15~20款产品覆盖细分市场。相比以往,英特尔推出系列产品的步伐明显加快。

Penryn集成了750余项设计成果,其中包括被称为继MOS(晶体管的沟道导电技术)之后又一项革命性的半导体技术——High-k(高介电系数)与金属栅技术。据介绍,相比前代产品,Penryn的性能提升20%,而且全面采用无铅、无卤制造。

对于45nm产品担负的接班使命,英特尔预计,2008年第三季度,45nm产品的出货量将开始超过65nm产品。目前,英特尔两座65nm工厂已经减产,四座45nm工厂中有两座在今年下半年生产,另两座则在2008年上半年投入使用。45nm时代到来仅一年,2008年,英特尔还将引入基于45nm制造工艺的Nehalem,它是Core(酷睿)的下一代微架构。

欧德宁现场展示的300mm测试晶圆

展望更为前瞻的2009年,演讲将我们引领至32nm时代。欧德宁现场展示的300mm测试晶圆是在三周前流片制成的,它就是基于32nm制造工艺,并引入了第二代High-k与金属栅技术的成型产品。

改变生活的力量

出乎观众意料,英特尔高级副总裁兼数字企业事业部总经理基辛格演讲中用力扯下了身旁的幕布,其后的展板上竟布满了各种常见且需要联机的设备。“用户越发需要存储和传输庞大数据。”基辛格表示,为此,IDF发布USB3.0标准,它将实现10倍于USB 2.0的数据传输速度,并赢得了惠普、NEC、德州仪器等合作者的支持。

在离我们的日常生活最近的移动计算方面。2008年1月,Santa Rosa Refresh将浮出水面,下一代迅驰技术Montevina则将于年中现身。该平台亮点众多,其组件尺寸比前代产品缩减40%,并开始支持DDR3内存、HD-DVD/蓝光,以及集成了Wi-Fi与WiMAX技术的无线模块。英特尔预计,到2012年WiMAX的全球用户将超过10亿。

回望IDF十年的历程,预想与现实总在时光中交叠。在欧德宁“从尖端到主流”的激情演讲中,我们不难发现,英特尔走的正是这样一条持续探索前沿技术,并促其快速主流化,从而惠及世界的道路。

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【责任编辑:常疆 TEL:(010)68476606】

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