首个3D晶体管 英特尔技术实现重大突破

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英特尔今天表示,在微处理器上实现了历史性的技术突破:成功开发世界首个3D晶体管,名叫Tri-Gate。据英特尔介绍说,3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度,它能让摩尔定律延续数年。

英特尔今天表示,在微处理器上实现了历史性的技术突破:成功开发世界首个3D晶体管,名叫Tri-Gate。据英特尔介绍说,3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度,它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升,并且可以更节能,新技术将用在未来22纳米设备中,包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。

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根据英特尔的解释,公司重新为芯片设计了电子开关(即晶体管),在过去开关是平面的,现在增加了第三维,它由硅基向上突出。例如,当土地有限,要增加办公室就可以盖摩天大楼。新的3D晶体管道理与此相似。

英特尔展示了22纳米处理器,代号为Ivy Bridge,它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别,它不只可以用在电脑、手机和消费电子产品上,还可以用在汽车、宇宙飞船、家用电器、医疗设备和其它多种产品中。

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摩尔定律的新领域

摩尔定律

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英特尔CEO欧德宁说:“英特尔的科学家和工程师曾经重新发明晶体管,这一次利用了3D架构。很让人震惊,改变世界的设备将被创造出来,我们将把摩尔定律带入新的领域。”(51CTO推荐阅读:NVIDIA 副总:摩尔定律已死

长久以来,科学家就认识到3D架构可以延长摩尔定律时限。这次突破可以让英特尔量产3-D Tri-Gate晶体管,从而进入到摩尔定律的下一领域。

摩尔定律认为由于硅技术的发展,每2年晶体管密度就会翻倍,它能增强功能和性能,降低成本。在过去四十年里,摩尔定律成为半导体产业的基本商业模式。  

通过使用3D晶体管,芯片可以在低电压和低泄露下运行,从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下,22纳米的3-D Tri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外,在相同的性能条件下,新的晶体管耗电不及 2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。

首款3-D Tri-Gate晶体管22纳米芯片代号为Ivy Bridge,英特尔今天展示了该芯片,它能用在笔记本、服务器和台式机中。Ivy Bridge家族的芯片将成为首个大量生产的3-D Tri-Gate晶体管芯片,它将在年底开始量产。3-D Tri-Gate晶体管还将用在凌动芯片中。

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ARM股价大跌7.3%

英特尔推出下一代芯片技术,在微处理器装上更多的晶体管,并希望借此帮助公司掌握平板、智能手机市场的话语权。

按照英特尔的计划,2011年底将推出采用新技术的芯片,提供给服务器和台式机、笔记本,它还会为移动设备开发新的处理器。

采用3D晶体管的英特尔芯片可能会给ARM构成威胁,毕竟ARM是现任移动市场的老大。

受新技术发布消息刺激,ARM的股价今天大跌7.3%,在伦敦收于5.58英磅。

Matrix分析师阿德里安(Adrien Bommelaer)认为,英特尔是否能迅速闯进ARM的后院,这还没有定论。他说:“英特尔显然想跳出核心PC市场的范围。关键问题是‘它们能推出一款处理器,足够强大,可以在移动计算领域一争高下吗?’”“它们将推出新的芯片,比上一代32纳米芯片节能50%,朝正确方向前进了一大步,但是否足够?我不知道。要知道ARM自己的能效也在进步。”  

据英特尔说22纳米的芯片性能比现在的32纳米芯片更高。为了扩大制程技术的优势,赶上移动竞赛,上个月英特尔将2011年资本开支提高到102亿美元,原定数额为90亿美元,目的是落实12纳米制程的开发。

在制程工艺上,英特尔大大领先于其它芯片商,它可以制造更快更高效的处理器。

自19世纪60年代以来,英特尔和其它半导体企业投入数十亿美元搞研发,每两年让芯片上的晶体管数量翻倍,从而方便产品进入到更小更快的小电子产品中。随着时间的推进,开发和使用先进制程技术成本过高,许多企业无法负担。但分析师说,英特尔资金雄厚,能持续推进制程发展。

花旗集团分析师扬(Glen Yeung)对英特尔的新技术表示赞扬,将目标价提高到了27美元,建立买入英特尔股票。他认为英特尔在芯片制造上有3-4年优势,当芯片闲置时,3D晶体管可以减少电流泄露,当芯片繁忙时它能运行在更低的电压下。

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3D晶体管图赏

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责任编辑:景琦 来源: 搜狐IT
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