惠普下代内存技术或将取代闪存和DRAM

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据国外媒体报道,惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破,一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。

据国外媒体报道,惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破,一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。

惠普研发人员在周一《纳米技术》杂志中提到,他们已经掌握了电气操作过程中“忆阻器”内部发生变化时的基本化学性质和结构。

惠普高级研究员Stan Williams说,在此前,尽管工作的忆阻器已在实验室制成,但是研发人员并不清楚在微小结构内部发生了什么。当惠普有信心可以将此项技术商业化时,这一发现将极大地提高计算机和内存的性能。

忆阻器最先是由加州大学一个教授提出来的。在此之前,研究人员只知道3个基本电路原件——电阻器,电容器和电感器。几十年后,惠普的研发人员证明了忆阻器是真实存在的,并进一步证明其可以在2个或2个以上电阻之间来回切换,这将使得在数字运算时,他们可以代表1或0。有忆阻器的内存类型叫做ReRAM,具有非易失性的特点。这意味着在电源关闭后设备可以保存这些数据。但对比DRAM,电源关闭后,存储的数据会丢失。

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责任编辑:景琦 来源: 网易科技
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