就像城市规划者试图让更多居民住进一个街区一样，芯片制造商都在谈论如何通过向上堆叠而不是将电路弄得越来越密集来改善他们的产品。国际商业机器公司（IBM）和美光科技公司（Micron）计划携手将这一概念商业化。
这一想法的基本理念是将芯片层层叠起，和传统上将一个系统中的半导体联系在一起的做法相比，新方法将用到更多且速度更快的数据通路。支持者认为，将芯片堆叠起来的做法除了节省空间，还能达到类似于立体电路块的效果。
IBM已经在和多位合作伙伴完善这一概念。美光科技公司也是如此。IBM在自己的工厂内生产微处理器，并向其它厂商提供芯片制造服务。而美光科技公司是美国仅剩的一家还在生产被称为动态随机存取内存（DRAMs）芯片的企业。
两家公司合作之后，美光科技公司将稍稍改变部分内存芯片的设计，移除通常连接内存芯片和其它芯片的电路。这部分功能基本上将由一块特殊的IBM芯片取代。这块IBM芯片将位于底层，其上方可能堆叠四或八块美光的内存芯片。
按照新方法，数据将利用名为“穿透硅通孔”的通路垂直穿过堆叠的芯片，而不是像原来那样通过包装外部的标准接线从芯片边缘接受信号进行通讯。两家公司说，按照这种方法设计的原型芯片每秒能传输128G（千兆字节）左右的数据，这一速度大约比目前的内存芯片快了十倍。
IBM的研究人员艾耶（Subu Iyer）说，这种芯片能带给你非常高的带宽。
两家公司说，这种方法所需能源和空间较少。IBM计划在纽约州费舍基尔（Fishkill）东部的工厂制造这种芯片会使用到的零部件，而美光科技公司将自己生产动态随机存取内存。两家公司表示，合作的产品预计将于2012年下半年开始出货。
