作为计算机中重要部件，内存承担着跟CPU沟通的任务，其性能好坏直接关系到计算机的整体性能。很多人可能比较了解内存的性能参数等信息。但是对其发展史来说，却是并不清楚，算起来，内存已经有超过160年的历史，今天笔者就带你一起回顾一下内存在这160多年中的里程碑事件，这些你可能都没听说过。
1834年：打孔卡——计算机内存的前身
20世纪80年代初，一些学校使用的如下图所示打孔卡作为介质的来存储“数字化”的科学书籍。当然，可能有人说这种打孔卡出现的时间更早。的确，但是直到一位英国数学家Charles Babbage他有了将这种数据计入编程计算机的想法，其在1834年到1871年，建立了“分析机”，该装置此阿勇了打孔卡作为只读存储器，集成的分析机的总内存相当于675字节。
1932年—1945年：磁鼓存储器等
奥地利的IT工程师Gustav Tauschek发明了***个被广泛使用的计算机存储器——磁鼓存储器。虽然他在1932年就创建磁鼓存储器，但是却花了超过20年的技术才被普遍采用。在“磁鼓存储器”被发明的后10年中，还有一些其他类型的存储器。例如水印延迟线等，构成了最早期电子计算机的主存储器。
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1951年：磁芯存储器
磁芯存储器被广泛应用到现代计算机存储器技术中，可以说是内存技术发展的第二个里程碑。多数人都认为这项技术的所有关键部件是直到1951年才被开发出来，但早在1949年，麻省理工学院的Jay Forrester首先提出了这项技术的构想。这种磁芯存储器已被微型集成电路块上的半导体存储器所取代。最初的磁芯存储器只有几百个字节的容量。
磁芯存储器的英文名称使用的是“core”，虽然被淘汰，但是很多人仍然习惯把内存叫core，磁芯存储器能够存储数字信息可以是1或0。在20世纪60年代到20世纪70年代初，非易失性磁芯存储器被用作默认的内存技术，全球所有的电脑90%以上都采用此技术。而且因此还打了一场关于专利的官司。
1952年：超声波存储器
超声波存储器是内存发展过程中重要的一环，这套系统超声波存储器拥有1024个44位，相当5.5KB的存储容量。超声波存储器被使用在世界上第二台电子计算机EDVAC上。
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1952年：FeRAM铁电存储器
铁电存储器在今天感觉仍然有点异国情调的感觉，它的历史可以追溯到1952年，麻省理工学院的研究生Dudley Allen Buck在硕士论文中就有了对FeRAM的描述，但是确实花了超过三十年才被人们再次提起。1991年，美国国家航空航天局的喷气推进实验室最终将这套概念付之于现实。Ramtron公司是最早成功制造出FeRAM的厂商，富士通、IBM和德州仪器在那时候也是FeRAM产品的重要制造厂。
1953年：选数管电脑内存
在1946和1953之间，选数管是管内存流行的***一个镜头，但从来就没有投入生产，由于磁芯存储器的普及。选数管10英寸长，直径3英寸，所以很难普及。因此，直到今天，选数管在应用上仍然不为大多数人了解。
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1964年：静态随机存取存储器(SRAM)
最早的SRAM可以追溯到1964年，是由当初的仙童半导体公司Fairchild研发的64位的金属氧化物半导体(MOS)静态RAM，然而在1969年，英特尔公司开发了***个256位静态RAM，命名为1101芯片，并在1971年正式推出，1101芯片是全世界***个大规模生产并利用的，利用硅半导体技术的MOS内存储器。
动态随机存取内存(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。但是当停止供电后，SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory)，这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
1966年：动态随机存取记忆体(DRAM)
在1966年到1967年期间，BIM公司Thomas J. Watson研究中心的Robert Dennard发命令我们今天仍然使用的DRAM，并在1968年申请了专利。
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1969年：相变内存
即使相变存储器发明超过50年后的今天，其仍然处于萌芽阶段，在1969年Charles Sie的论文中就提到了这项存储技术，摩尔也同样在1970年发表了一篇论坛，描述了镶边处理器，但是直到今天，其一直处于研发阶段，而有消息说，三星公司则有希望***个成为开发出PRAM的公司。
相变内存结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，被业界视为未来闪存和内存的替代品。
1970年：***款DRAM内存
虽然之前一些厂商也退户过DRAM芯片，但是在1970年，Intel推出了1103芯片成为了***大批量生产并且被广泛使用的内存芯片产品，而且其在1972年推出1024芯片成为全世界最长寿的半导体芯片，因此1103芯片被认为是***款DRAM内存。
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1971年：可擦除可编程只读存储器(EPROM)
***个发明EPROM(有时也简称为EROM)的是英特尔的Dov Frohman，***个被正式投产的EPROM型号为i1701，采用8个容量为256比特的模块总容量为2048比特。EPROM是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片。
EPROM是一组浮栅晶体管组成，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。
1984年：Flash
Flash是由东芝公司在1984年发明，***个广为人知的快闪记忆体装置是由英特尔于1988年研发的256 KB芯片当然，Flash是目前使用的几乎所有的海量存储解决方案，包括在我们的手机芯片中，USB和SSD等等你，是目前最火的存储技术，到目前为止，闪光表现强劲。
1989年：磁阻式随机存取内存MRAM
磁阻式随机存取内存是一种非挥发性内存技术，MRAM的拥护者认为其实闪存和DRAM的替代品，最早开发MRAM技术的是IBM在1989年到10世界九十年代研发的，但是其商业化的步伐依然没有取得进展，目前仍处于研发阶段，不过目前，在一些通信和军事等领域已经有了一定的应用。
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1993年：同步DRAM
SDRAM概念出现不久，但是从20世纪79年代就已经被人们熟悉，但是要说其在电子工业领域被广泛接受，那还是从1993年开始，1993年，三星开始展示其新出品的KM48SL2000 SDRAM，到2000年，SDRAM因为其卓越的性能，实际上取代了其它类型的DRAM在现代计算机中的位置。
SDRAM内存在JEDEC的PC100规范下，可以达到100MHz的速度，如今世界***的SDRAM制造商包括：三星电子，美光科技和HY。
1996年：双倍数据速率(DDR)SDRAM
作为SADRAM的继任者，DDR JEDEC SDRAM规范标准在1996年到2000年之间被定义，目前DDR3是市场上主流的内存产品，目前预计DDR4产品将很可能在2014年发布。
1999年：Rambus DRAM(RDRAM)
Rambus DRAM(RDRAM或DRDRAM的)是由美国的RAMBUS公司于20世纪90年代末，开发的一种SDRAM内存，也是尝试取代SDRAM内存而不太成功的案例之一。Rambus DRAM***的有点就是拥有更高的贷款和时钟频率，但是其在推出时，彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有制造工艺的兼容性，到如今也仅在一些电视有机器或网络设备中有一些应用。
文章总结：作为计算机重要的组件之一，内存承载着非常大的任务，其直接关系到整体性能的好坏，而随着内存技术的不断发展，其承担的任务也是越来越多，值得我们关注。
