2016年3月16日，北京讯——ARM和台积电宣布签订针对7纳米 FinFET工艺技术的长期战略合作协议，涵盖了未来低功耗，高性能计算SoC的设计方案。该合作协议进一步扩展了双方的长期合作关系，并将领先的工艺技术从移动手机延伸至下一代网络和数据中心。此外，该协议还拓展了此前基于ARM® Artisan® 基础物理IP 的16纳米 和10纳米 FinFET工艺技术合作。
ARM全球执行副总裁兼产品事业群总裁 Pete Hutton表示：“现有基于ARM的平台已展现提升高达10倍运算密度的能力，用以支持特定数据中心的工作负载。未来的ARM技术将适用于数据中心和网络基础设施，并针对台积电7纳米 FinFET进行优化，从而帮助我们共同的客户将行业***功耗的架构应用于不同性能要求的领域。”
台积电研究发展副总经理侯永清表示：“台积电不断投资先进的工艺技术，致力于帮助我们的客户取得成功。凭借7纳米 FinFET，我们的工艺和生态系统解决方案已从移动手机拓展至高性能计算。 得益于台积电行业领先的7纳米 FinFET工艺，客户在设计下一代高性能计算芯片时，相比10纳米 FinFET工艺节点，能在相同功耗获得更好性能表现，或者在相同性能表现的情况下，实现更低功耗。 联合优化的ARM和台积电的解决方案有助于我们客户推出颠覆性产品，并率先面向市场。”
***的合作协议基于ARM和台积电此前在16纳米 FinFET和10纳米 FinFET工艺上取得的成功。台积电和ARM此前合作所取得的联合创新，使客户得以从最前沿的工艺技术和IP中获益，以加快产品研发周期。例如，尽早获取Artisan物理IP、以及试产16纳米 FinFET 和 10纳米 FinFET的ARM Cortex®-A72处理器。
