【51CTO.com原创稿件】作为业界领先的半导体厂商，英特尔绝对是行业的霸主。不过，随着技术的发展，英特尔提出的Tick-Tock策略在近几年来已经开始出现了一些变化。此外，其领先的工艺制程技术也开始逐渐被竞争对手超越，特别是台积电推出了7nm之后，一直对半导体工艺有着高度自信的英特尔，终于坐不住了。
本周二，英特尔在精尖制造日上正式发布了10nm制程技术，并宣布将会在今年第四季度投产，以高调的姿态，正式向业界回应了摩尔定律已经失效的质疑。
英特尔精尖制造日首次进入中国
本次英特尔精尖制造日是英特尔全球范围内组织的第二次大型活动，也是首次在中国举办这样的大型活动。之所以将本次活动的地点选择在了中国，笔者认为英特尔已经看到了中国市场的机会，而中国市场将成为了各大芯片巨头以及晶圆代工巨头最为重视的市场。
根据全球芯片设备行业协会SEMI的估算，今年中国在晶圆代工厂领域的整体支出(包括建筑与设备)将增长54%，即由2016年全年的35亿美元增长至2017年的54亿美元。而到2018年，SEMI方面预计这一数字将进一步增长至86亿美元。市场研究企业Gartner公司同样抱看涨态度，其预计半导体行业今年的销售总额将增长12.3%，达到3860亿美元。Gartner指出，2016年下半年的积极市场状况有望在2017年与2018年继续保持。
英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理Zane Ball表示，高端晶圆代工市场规模不断攀升，2016年达到230亿美元，而来自中国的消费达到了58.5%，但中国无圆晶厂[w1] 全球占比为25%，英特尔认为中国半导体领域拥有巨大的机会。
基于这样的机会，英特尔把精尖制造日活动搬到了北京，并以此来加快了在中国的投产速度。
10nm技术来了，英特尔高调反击
在半导体制造领域，除了英特尔之外，就剩下三星、台积电和格罗方德这三家了。抛开其他因素，单从工艺制程上来讲，这几年英特尔的确已经落后三星与台积电了。
从2017年上半年开始，台积电的10nm产品就已经开始放量增长，今年9月11日，台积电更是联合ARM、Xilinx等公司，正式发布全球首个基于7nm工艺的芯片，并宣布在2018年正式量产。此外，有消息称台积电5nm的产品也将在2019年进入风险试产阶段。除了台积电，三星电子的进展也要强于英特尔，据悉三星电子将于2017年风险试产8nm LPP制程，2018年将推出7nm，2019年将推出5、6nm制程，2020年投产4nm并导入环绕式闸极架构。AMD今年推出的Ryzen处理器更是使用了由格罗方德提供的的14nm LPP(Low Power Plus低功耗加强版)工艺。可以说，英特尔的竞争对手们都在发力，但就是没有听到英特尔的任何声音，这也让人们再次对摩尔定律提出了质疑。
本周，英特尔10nm技术终于发布了，可见英特尔也等不及了。
本次的精尖制造日大会上，英特尔不但带来了满满的干货，而且这次活动更是区别于任何一次英特尔发布会，高调了太多太多。甚至杨旭还喊出了老虎不发威，你以为是病猫吗?!口号。在现场展台与嘉宾演讲的PPT中，笔者看到了英特尔10nm与三星、台积电同类产品的对比数据，这在以往英特尔任何的发布会上，是不可能看到的。
超微缩技术，全面领先竞争对手
从演讲嘉宾的PPT中笔者发现，英特尔发布的10nm芯片在各个节点上逻辑晶体管密度的数量与竞争对手三星和台积电相比，都具有明显领先优势。
英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，在保持技术龙头优势上，英特尔的团队从来没有放松过。以在活动上发布的10nm工艺制程技术为例，英特尔能够达到每平方毫米 1 亿晶体数，实现了业内最高的晶体管密度，而台积电为 4800 万，三星为 5160万。
Stacy Smith表示，英特尔的超微缩技术让英特尔能够加速推进晶体密度的提升。以10nm制程为例，英特尔产品的最小栅极间距从70nm缩小至54nm，且最小金属间距从52nm缩小至36nm。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14nm制程的2.7倍，大约是业界其他10nm制程的2倍。
笔者认为，作为摩尔定律的坚定拥护者，在芯片数量和成本上，英特尔更加严谨。因此，英特尔才会考虑推迟到现在才发布10nm芯片。从领先的晶体管密度来看，英特尔10nm无疑更具备成本的优势。Stacy Smith强调，英特尔卖的不是晶体管而是成本。要做到这一点，英特尔要么让晶片的尺寸不变，然后加入更多的性能和功能的晶体管，要么把晶片的尺寸缩小。遵循摩尔定律，就意味着英特尔在降低成本的同时，提高性能、增加功能。成本数据证明，摩尔定律也在推动成本的下降，保证摩尔定律未来持续有效。
除了发布10nm芯片处，英特尔还在此次大会上首次将14nm和22FFL的FinFET带到了中国市场。Zane Ball表示，对于英特尔而言，现在是一个关键的时间节点，英特尔将通过代工业务加深与中国伙伴的合作，把基于14纳米和22FFL的FinFET带到中国市场。
据介绍，10nm芯片将于2017年底正式投产、2018年上半年进入量产阶段。
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