即便不是IT从业人士，想必也会听说过著名的“摩尔定律”：1965年，英特尔创始人戈登·摩尔提出，在至多十年内，集成电路的集成度会每两年翻一番，后来这个周期被缩短为18个月。当时摩尔先生仅仅是将摩尔定律的适用时间限定在“十年内”，但实际上处理器技术的发展令人咋舌，至今这条在当时遭到无数人质疑的奇妙定律仍旧在生效，基本上每两年制程工艺都会进入一个新的台阶。
但是，“摩尔定律”仍旧会一直生效下去么?如今主流的处理器制程已经发展到22nm，而更先进的14nm、10nm工艺也已经进入了芯片制造商的产品蓝图，那么接下来呢?…硅片晶体管的尺寸有着其物理极限，美国国防先进研究项目局主任Robert Colwell先生曾表示，到7nm级别，现有的硅晶体管技术将存在巨大挑战。
不过，事实还不是那么悲观。
英特尔在近日召开的ISSCC(国际固态电路会议)上表示，当前半导体技术发展速度能维持到10nm(预计2016年发布)之后，并且无需转向昂贵的、高端的芯片制造技术，例如无需采用远紫外线光刻技术(EUV)就能生产出7nm芯片(预计2018年)，也就是说，保守估计摩尔定律还能延续到2018年，芯片产业在近几年中还不会发生巨大的变化。
不过话说回来，摩尔定律已经延续了50年，距离极限越来越近，芯片商们能够从硅晶体管技术的“量变”中发掘出的潜力已经有限，亟需发掘新的材料和芯片技术，成为硅晶体管技术的替代品。为此，英特尔已经开始寻找可替代的材料，据外媒报道，其中一个可行的材料是铟镓砷(InGaAs)等III-V族半导体材料，另一个可能是已经用于制造FinFET晶体管的磷化铟(InP)材料。
除了英特尔外，IBM也在从事新型材料科学和新型芯片的研发。去年IBM剥离了芯片制造业务，但并没有停止在芯片技术上的研发。去年7月，IBM宣布将在未来5年投资30亿美元开展两项研究的早期开发计划以突破芯片技术极限：第一项是针对7nm以下的硅技术;第二项是为“后硅时代”开发出替代技术，包括量子计算、神经突触(neurosynaptic computing计算、硅光子技术(silicon photonics)、碳纳米管(carbon nanotubes)、III-V族半导体技术(III-V technologies)、低功耗晶体管(low power transistors )、以及石墨烯(graphene)技术等。
而另一芯片巨头三星则在不久前的ISSCC上放出豪言，表示在10nm工艺之后，还将继续推进至5nm，并且“根本没有困难”，三星还表示“确认开始 3.2nm FinFET 工艺的工作，通过所谓的 EUV 远紫外光刻技术和四次图形曝光技术和独家相关途径，可以实现工艺更细微化”，不过，三星并没有表示采用的是硅材料。
技术的更迭往往会造就新的巨头，就如历史上的IBM、英特尔和三星。故而，当摩尔定律即将走到尽头，这些芯片巨头们也并没有闲着，无一例外的在进行新技术和新材料的探索，毕竟谁抓住了芯片，谁就抓住了科技的脉搏。
